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Kingston Technology KSM26RD4/64MFR Módulo de memória 64 GB 1 x 64 GB DDR4 2666 MT/s 288-pin DIMM ECC

Kingston Technology KSM26RD4/64MFR Módulo de memória 64 GB 1 x 64 GB DDR4 2666 MT/s 288-pin DIMM ECC
Kingston Technology KSM26RD4/64MFR Módulo de memória 64 GB 1 x 64 GB DDR4 2666 MT/s 288-pin DIMM ECC
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Kingston Technology KSM26RD4/64MFR. Component for: PC/Server, Internal memory: 64 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 64 GB, Internal memory type: DDR4, Memory form factor: 288-pin DIMM, CAS latency: 19, ECC... Ler mais
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Stock EsgotadoSem stock Código 2624574 Marca KINGSTON Modelo KSM26RD4/64MFR Garantia 2 anos

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Kingston Technology KSM26RD4/64MFR. Component for: PC/Server, Internal memory: 64 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 64 GB, Internal memory type: DDR4, Memory form factor: 288-pin DIMM, CAS latency: 19, ECC

Destaques principais
  • 16 internal banks
  • Bi-Directional Differential Data Strobe
  • 8 bit pre-fetch
  • Burst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop)
  • Supports ECC error correction and detection
  • On-Die Termination (ODT)
  • Temperature sensor with integrated SPD
  • This product is in compliance with the RoHS directive
  • Per DRAM Addressability is supported
  • Internal Vref DQ level generation is available
  • Write CRC is supported at all speed grades
  • CA parity (Command/Address Parity) mode is supported
  • PC/Server 64 GB DDR4 2666 MT/s
  • 288-pin DIMM 1 x 64 GB
  • CAS latency: 19
  • 1.2 V
  • ECC
Especificações
Acabamento dos contactos
Gold
Altura
18.8 mm
Certificados de conformidade
RoHS
Código do Sistema Harmonizado (HS)
84733020
Componente para
PC/Server
Configuração da memória (módulos x capacidade)
1 x 64 GB
Configuração do módulo
8192M x 72
ECC
Yes
Formato da memória
288-pin DIMM
Largura
133.3 mm
Latência CAS
19
Memória interna
64 GB
Norma JEDEC
Yes
Perfil SPD
Yes
Rank da memória
2
Taxa de transferência de dados da memória
2666 MT/s
Temperatura de armazenamento (T-T)
-55 - 100 °C
Temperatura de funcionamento (T-T)
0 - 85 °C
Tempo de ciclo de atualização de linha
350 ns
Tempo de ciclo de linha
46.25 ns
Tempo de linha ativa
32 ns
Tensão da memória
1.2 V
Tensão de programação (VPP)
2.5 V
Tipo de memória com buffer
Registered (buffered)
Tipo de memória interna
DDR4

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