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Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V Unbuffered On-Die ECC

Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V Unbuffered On-Die ECC
Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V Unbuffered On-Die ECC
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Stock EsgotadoSem stock Código 2403757 Marca SAMSUNG Modelo M425R4GA3BB0-CWM Garantia 2 anos

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Supports x8 / x16 / up to 2 ranks per DIMM and 2DPC configuration
For systems with limited space issues
Application : Laptop

Samsung M425R4GA3BB0-CWM. Component for: PC, Internal memory: 32 GB, Memory layout (modules x size): 2 x 16 GB, Internal memory type: DDR5, Memory clock speed: 5600 MHz, Memory form factor: 262-pin SO-DIMM, CAS latency: 46

Destaques principais
  • PC 32 GB DDR5
  • 262-pin SO-DIMM 2 x 16 GB
  • CAS latency: 46
  • 1.1 V
Especificações
Componente para
PC
Configuração da memória (módulos x capacidade)
2 x 16 GB
ECC
No
Formato da memória
262-pin SO-DIMM
Frequência da memória
5600 MHz
Latência CAS
46
Memória interna
32 GB
Rank da memória
1
Tensão da memória
1.1 V
Tipo de memória com buffer
Unregistered (unbuffered)
Tipo de memória interna
DDR5

Folheto

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Histórico de preços nos últimos 6 meses
Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V Unbuffered On-Die ECC
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Mais alto
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Mês
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